DS两端短接，对栅偏电压GS两端进行高速周期正负栅

 压冲击,并配置热基板环境

栅偏电压设置范围-15~30V，正负栅压切换频率5K~100KHz, 

占空比20%~80%

系统最多可以配置28个老化区，每个区最多6个工位

栅级电压上升压摆率≥1V/nS

关闭动态测试，测试静态栅偏漏电，漏电检测能力1nA~100uA

Vgs(th)测试范围1~10V

可生成栅偏电压、漏电数据、Vgs(th)和热板温度数据报表